介質阻擋放電通常是由正弦波型（sinusoidal）的交直流高電壓放大器驅動，隨著供給電壓的升高，系統中反應氣體的狀態(tài)會經歷三個階段的變化，即會由絕緣狀態(tài)（insulation）逐漸至放電（breakdown）最后發(fā)生擊穿。在系統中常用頻率范圍在50Hz~1MHz之間，此時就需要一款合適的高電壓放大器為為系統提供動能，今天Aigtek安泰電子就為大家介紹一下介質阻擋放電高電壓放大器ATA-2082測試系統的原理。

　　基本原理：

　　介質阻擋放電，是把絕緣介質插入放電空間的一種非平衡態(tài)氣體放電，其阻擋介質通常為玻璃、聚四氟乙烯、陶瓷等絕緣材料，有效抑制氣隙內電流的無限增長，避免放電過渡到火花放電。其可以在高氣壓和寬頻率范圍內工作，產生大體積、高能量密度的低溫等離子體，且不需要真空設備就能在室溫或接近室溫條件下獲得活性粒子。

　　當供給的電壓比較低時，雖然有些氣體會有一些電離和游離擴散，但因含量太少電流太小，不足以使反應區(qū)內的氣體出現等離子體反應，此時的電流為零。隨著供給電壓的逐漸提高，反應區(qū)域中的電子也隨之增加，但未達到反應氣體的擊穿電壓（breakdownvoltage;avalanchevoltage）時，兩電極間的電場比較低無法提供電子足夠的能量使氣體分子進行非彈性碰撞，缺乏非彈性碰撞的結果導致電子數不能大量增加。

　　因此，反應氣體仍然為絕緣狀態(tài)，無法產生放電，此時的電流隨著電極施加的電壓提高而略有增加，但幾乎為零。若繼續(xù)提高供給電壓，當兩電極間的電場大到足夠使氣體分子進行非彈性碰撞時，氣體將因為離子化的非彈性碰撞而大量增加，當空間中的電子密度高于一臨界值時及帕邢（Paschen）擊穿電壓時，便產生許多微放電絲（microdischarge）導通在兩極之間，同時系統中可明顯觀察到發(fā)光（luminous）的現象此時，電流會隨著施加的電壓提高而迅速增加。

　　研究實例：

　　DBD技術有重要的環(huán)保價值，在放電過程中會產生大量化學性質活躍的自由基和準分子，它們和其它原子、分子或其它自由基發(fā)生反應，形成穩(wěn)定的原子或分子。可利用該特性處理廢氣，降解污染物、殺菌消毒燈。DBD可用于材料表面改性等方面，作用深度范圍材料表面幾納米-幾百納米，能在不影響基體性能的前提下改善材料表面的物理化學性能。DBD可用于制成準分子輻射光源，如紫外準分子燈、無汞熒光燈、等離子體顯示屏等。

　　為了滿足介質阻擋放電測試系統的電壓、功率、頻率需求，我們選擇ATA-2082高電壓放大器來為系統提供動能，指標參數具體如下：

　　ATA-2082高壓放大器除了在材料無損檢測領域，在壓電陶瓷，微流控細胞分選、發(fā)光二極管等眾多領域都有著廣泛應用，具體案例歡迎持續(xù)關注我們，我們將在日后逐一為大家分享。

　　本資料由Aigtek安泰電子整理發(fā)布，更多案例及產品詳情請持續(xù)關注我們。西安安泰電子是專業(yè)從事功率放大器、高壓放大器、功率放大器模塊、功率信號源、射頻功率放大器、前置微小信號放大器、高精度電壓源、高精度電流源等電子測量儀器研發(fā)、生產和銷售的高科技企業(yè)，為用戶提供具有競爭力的測試方案。Aigtek已經成為在業(yè)界擁有廣泛產品線，且具有相當規(guī)模的儀器設備供應商，樣機都支持免費試用。